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測試與失效分析

Testing and Failure Analysis

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俄歇電子能譜儀(AES)

設備型號:PHI-710
針對各類儲能業(yè)務需求,TIES力圖發(fā)展成為布局全面,面向市場,集測試分析、失效分析、資質認證、技術開發(fā)、工程放大、智能制造、高價值信息服務、高端培訓為一體的研發(fā)型企業(yè)。 聯(lián)系我們

技術參數(shù)

1.采用1-25 kV穩(wěn)定的肖特基場發(fā)射源;

2.二次電子成像可達4096×4096像素的分辨率;

3.空間分辨率:8 nm;

4.采集深度:5-75 ?;

5.成分檢出限:0.1atom %;

6.采集信息:元素(Li~U)部分化學態(tài);


應用范圍

用于分析固體材料表面納米深度的元素(部分化學態(tài))成分組成,可以對納米級形貌進行觀察和成分表征。既可以分析原材料(粉末顆粒,片材等)均勻表面組成,又可以分析材料或特定產(chǎn)品表面缺陷如污染,腐蝕,摻雜,吸附、雜質偏析等,還具備深度剖析功能表征鈍化層,摻雜深度,納米級多層膜層結構等。

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技術參數(shù)1. 能量分辨率:Ag3d5/2峰位FWHM < 0.48eV;C1s譜中O=C-O峰位FWHM < 0.82eV 2. 最小x-ray 束斑:<10.0μm(x軸);<10.0μm (y軸) 3. Ar離子濺射槍最大束流:>5.0μA @5kV4. Ar離子/C60離子濺射槍差分氣壓:< 6.7x10-6 Pa (5x10-8Torr) 5. Ar氣團簇離子槍的最大電流:>40nA @ 20kV 6. Ar氣團簇離子最小束斑:500 μm @ 20 kV7. 樣品臺的冷熱性能:-140°C~800°C  應用范圍無機化合物、合金、聚合物、能源電池、表面缺陷(腐蝕,異物,污染,分布不均等)、表面多層薄膜等

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